【摘 要】
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文章介绍的是由射频(RF)溅射反应沉淀制备的TaN薄膜,以及在各种N2/Ar气流比例和工作压力下测试其电阻率变化.从x射线衍射(X-RD)图像和四点探针测试仪测试的TaNx薄膜方块电阻
【机 构】
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电子科技大学微固学院应用化学系,珠海元盛电子股份有限公司
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文章介绍的是由射频(RF)溅射反应沉淀制备的TaN薄膜,以及在各种N2/Ar气流比例和工作压力下测试其电阻率变化.从x射线衍射(X-RD)图像和四点探针测试仪测试的TaNx薄膜方块电阻来看.研究发现,TaNx薄膜电阻率发生突变的原因主要是由于N2分压的作用而使TaNx薄膜晶体结构发生了变化.当六边形结构的TaN薄膜变成面心立方行结构时,薄膜电阻从16ωΩ/sq增加到1396 Ω/sq.但是,在晶体结构不变和一定的工作压力范围内,我们能把TaN薄膜的电阻率控制在69 Ω/sq到875 Ω/sq范围内.在扫描电子显微镜(SEM)成像中,晶粒尺寸随着工作压力的增加将会有所减小.
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