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通过高温固相法制得双峰可调节本征半导体发光BaZn2(BO3)2∶Eu3+荧光粉,此类荧光粉在300~400nm的紫外波段有很强的吸收。在375nm的紫外光激发下,该荧光粉产生了两个宽带的发射峰,分别位于550nm和615nm处。并且,在395nm的紫光激发下,荧光粉会由于Eu3+离子的5D0→7F2电偶极跃迁产生一个位于615nm的强宽发射峰,这表明Eu3+离子占据了反演对称中心的位置,取代了BaZn2(BO3)2中部分的Ba2+离子。当Eu3+的摩尔分数达到10%时,发生浓度猝灭。在不同浓度的Eu3+