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从微观角度研究磁记忆现象是机理研究的突破口，材料微观结构变化由塑性变形引起。因此设计拉伸疲劳试验，同步研究疲劳过程中切向磁信号Hpx变化与材料微观形貌及塑性应变变化之间的关系。试验结果显示，疲劳初期，fk快速增强，对应快速塑性变形；疲劳中期，Hpx平缓增强，对应塑性变形放缓，晶界微裂纹萌生并缓慢发展；疲劳后期，Hpx相比疲劳中期有跳变，并且增强速度加快，对应塑性变形加剧，宏观裂纹出现并快速扩展。分析表明，塑性变形产生微裂纹等晶体缺陷，阻碍磁化，使塑性变形集中区域成为内部磁源，向外散射磁场，形成磁记忆现象。