【摘 要】
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在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDO
【机 构】
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北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系
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在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga和As原子的原子价.超晶格有序势使(AIAs)_n/(GaAs)_n的直接带隙变窄,这表明了它与无序合金Al_xGa_(1-x)As之间物理性质的差别.同时直接证实了(001)表面原子的成键方式将引起退杂化SP_2+P_γ-P_y发生.本文结论优于已有的理论报道,并与最近的实验数据符合很好.
In the tight binding approximation, the surface, interface and in-vivo electronic structures of (AlAs) _n / (GaAs) _n (n≤10) short-period superlattices are calculated in detail using the Recursion method for the first time. TDOS, LDOS and PDOS, which prove the influence of the interface and get the valence of Al, Ga and As atoms. The superlattice order potential (AIAs) _n / (GaAs) _n narrows, indicating the difference in physical properties between AlAs and Al_xGa_ (1-x) As and directly confirms the bonding of (001) Mode will cause the degeneration of SP_2 + P_γ-P_y.The conclusion of this paper is superior to the existing theory and is in good agreement with the recent experimental data.
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