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从理论上对CdTe/CdS太阳电池CdS/CdTe异质结的特性进行了研究和讨论,结果表明可以简单利用改变CdTe、CdS两种半导体材料的掺杂浓度来改变CdS/CdTe异质结的能带结构.针对不同的能带结构采用了不同的物理模型,得到的CdS/CdTe异质结伏安特性曲线有一折点,且折点位置随异质结能带结构的变化而变化.