Investigation and Comparison of the DIBL Parameter and Thermal Effects of SOD Transistors and SOI Tr

来源 :电子器件冷却与温度控制期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：snowwonsnow

【摘要】

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In this paper, thermal effects and Drain Induced barrier lowering (DIBL) of silicon-on-insulator (SOI) and silicon-on-diamond (SOD) transistors with 22 nm chann

【作者】

：

Nooshien Laderian Arash Daghig

【机构】

：

DepartmentofEngineering-ElectronicsBranch

【出处】

：

电子器件冷却与温度控制期刊(英文)

【发表日期】

：

2018年2期

【关键词】

：

Silicon-on-Diamond SILICON-ON-INSULATOR SELF-HEATING Off Current DIBL Silicon-on

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In this paper, thermal effects and Drain Induced barrier lowering (DIBL) of silicon-on-insulator (SOI) and silicon-on-diamond (SOD) transistors with 22 nm channel lengths using hydrodynamic simulations have been investigated. Thermal conductivity of diamo

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