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采用反应磁控溅射法在玻璃基片上制备N掺杂TiO2-XN薄膜和纯TiO2薄膜，并且对两种薄膜样品分别进行了300、400和500℃的退火处理．采用X射线光电子能谱仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外-可见光光度计（UV—Vis）对经过退火处理的样品进行了表征．结果表明：成功制备了N掺杂TiO2-XNX薄膜和纯TiO2薄膜相对比，晶型和表面形貌没有什么太大的区别，但通过紫外一可见光吸收谱图可以发现经过400℃退火处理的N掺杂TiO2-XNX薄膜吸收带边从纯TiO2薄膜的400n