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国际整流器公司(IR)新发布的IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式DC-DC转换器。该器件的额定电压为40V，当用于配备IR2085S原边PWM集成电路的隔离式DC—DC总线转换器中的副边同步整流时，可在150W全负载条件下效率达到95．2％。
IR 40V同步整流MOSFET优化电信和数据通讯应用
【摘 要】
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国际整流器公司(IR)新发布的IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式DC-DC转换器。该器件的额定电压为40V，当用于配备IR2085S原边PWM集成电路的隔离式DC
【出 处】
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电源世界
【发表日期】
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2004年10期
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