【摘 要】
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本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241
【机 构】
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中国原子能科学研究院rrrrrrrrn,中国原子能科学研究院
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本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241)Am 59.5keV的低能γ和X射线的能谱及~(55)Fe 5.9keV的X射线进行了测量。对~(55)Fe 5.9keV的X射线能量分辨率为190eV,并可在室温下存放。
This paper describes the preparation process and performance of high resistance NTD silicon low energy β, γ and X-ray detector. The sensitive area of detector is 15mm ~ 2 and thickness is 2.3mm. At 77K, pulsed light feedback preamplifier was used to conduct the low energy γ and X-ray spectra and the ~ (55) Fe 5.9keV X-ray with the maximum endpoint energy of 18.6 keV for tritium β, ~ (241) Am 59.5 keV The measurement. X-ray energy resolution of ~ (55) Fe 5.9keV was 190 eV and was stored at room temperature.
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The structure and characteristics