在采用真空Ｂｒｉｄｇｍａｎ构型生长炉，生长不同质量级别、不同规格的ＣａＦ２单晶材料的工艺实验过程中，我们发现，在原料产地和质量相同、生长炉内外结构一定的条件下，诸多生长参数中起主导作用的是：初始状态、熔态温度、生长速度及气氛等。其中熔态温度占主要位置。（１）初始状态的选择直接关系到单晶成分的比例、质量合格部分的比例等。（２）熔态温度，即生长时熔体的温度，它是晶体质量好坏的关键所在。在实际工作中，在生长炉结构基本确定后的生长过程中，也是一个核心问题。往往要通过一段时间摸索才能得到满意的温度。（３）生长速度，也是保障晶体质量的一个重要环节，必须从经济和质量上综合确定。（４）气氛亦是影响ＣａＦ２晶体质量的重要因素之一，其中ＯＨ－及Ｏ２－的影响尤其重要。阴离子的存在使光谱紫外性能变坏。实验表明，凡是炉内真空度低于１３３×１０－４Ｐａ的气氛下生长的晶体，不但紫外性能差而且在２．７～２．９μｍ区间光谱出现不同程度的吸收。就熔态温度来说，有时在一定的温度状态下生长出来的晶体其宏观透明性差，看上去不明亮。这种晶体虽然在ＨｅＮｅ激光下检查，无明显光柱，但经过一定温度下的退火后，其质量明显变差。散射光柱严重，直至完全报废。这?