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铜铟镓硒化物 Cu 的薄电影(ln, Ga ) Se2 (帝国参谋总长) 被顺序的元素的层免职在房间温度在真空准备。同样扔的电影为化合物之形成在真空被加热,并且第一次象 1250 deg C 一样高在温度被学习。这些电影并发地被学习因为他们由 X-raydiffraction (XRD ) technique.The XRD 分析的结构的性质包括阶段转变研究,有反应温度和时间的谷物尺寸变化 andmicrostrain 大小。有在所有这些参数的变化的三个不同区域,这被观察了。这些区域属于三温度 regim