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采用电子自旋共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、＾６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０＾４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号