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对低噪声放大器（LNA）的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC0．18μm射频CMOS工艺，设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA（电流复用式PMO-NMOS LNA）和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRF^TM，对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明，在功耗相近时，PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益，其噪声特性与NMOS LNA相近；NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。