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采用恒电流沉积方法，在多孔阳极氧化铝（AAO）模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列．采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征、利用振动样品磁强计（VSM）对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究．结果表明，单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向，并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力．直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力（8．236×10^4A/m）和较高的剩磁比（Mr=0.94M。）．