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研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响，建立了模拟AlGaN／GaNHEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明，低场迁移率随温度的升高而下降，阈值电压随温度的升高略有增加，但变化很小，而沟道温度随漏压的增加上升很快，并最终导致输出漏电流的下降。最后将模拟结果与实验值进行对比，符合较好，证明了该模型的正确性，并可以应用于SiC和蓝宝石两种不同衬底AIGaN／GaNHEMT器件的模拟。