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使用(NH4)2Sx溶液对GaAs MESFETs进行处理.处理后,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了,栅漏击穿电压有了显著提高.我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压,这就是(NH4)2Sx溶液处理可改善GaAs MESFETs击穿电压的原因.