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结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术成功地制备了φ７６ｍｍ的ＳＯＩ材料，用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级。ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起。通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料。