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设计并制作出一种新型集成压力传感器－集成MOS力敏运动压力传感器。它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型（100）Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中其它元件全部集中设置在厚体硅上的低应力区，在压力作用下，输入级MOS管沟道中载流子迁移率发生变化，运算放大器以其为输入信号而产生力敏输出。这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度，可望诸多领域有广泛应用。