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本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法.该片上电阻器由三个NMOS管组成.通过控制各MOS管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器.用Cadence公司的SPECTRE软件及TSMC公司的0.25(m CMOS混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足USB2.0规范对发射器电路输出阻抗45±10%(的要求.