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采用模拟和数值计算的方法，研究了THz波段的受激史密斯一帕塞尔辐射特性。实验装置以“上海电子束离子阱”为原型，采用紧凑型设计以便最终实现其可移动性。束流动力学模拟表明，此装置采用强磁场，可以得到平均流强为0．2A、束流半径为75μm的高品质电子束，为电子束工作在自由电子激光模式下创造了条件。基于Andrews和Brau的理论，优化了光栅参数，保证了辐射角度在60°。其中消散场的计算频率为0．3659THz。采用particle-in-cell（PIC）程序模拟了光栅表面的辐射场以及电子的动力学特