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研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光嗅迁的产机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩，给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃迁机制，认为是Ｇｅ原子周围波函数畸变的集体行为。
锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
【摘 要】
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研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光嗅迁的产机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩，给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺
【机 构】
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集成光电子学国家联合实验室半导体所实验区,中国科学
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1996年11期
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