【摘 要】
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本文介绍锗合金晶体管的发射极In-Ga合金球中，Ga的含量越过0.5％，提 高到0．8％，使锗晶体管的优品率获得大幅度提高。并着重讨论晶内偏析现象和晶 粒间的界面物理特性在合金组份均匀度
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本文介绍锗合金晶体管的发射极In-Ga合金球中，Ga的含量越过0.5％，提 高到0．8％，使锗晶体管的优品率获得大幅度提高。并着重讨论晶内偏析现象和晶 粒间的界面物理特性在合金组份均匀度检验技术中的应用。
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