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在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好.并分析其缺陷的产生机理.
GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析
【摘 要】
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在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品
【机 构】
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绵阳师范学院物理与电子工程学院,绵阳师范学院计算物理研究中心,四川大学物理科学与技术学院物理系
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2015年6期
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