【摘 要】
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采用微加工技术制作测辐射热计阵列时,部分微桥可能发生结构变形,使阵列的性能下降甚至无法正常工作。采用有限元分析方法,对在热膨胀和薄膜应力影响下的I型和L型两种微桥的变形
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用微加工技术制作测辐射热计阵列时,部分微桥可能发生结构变形,使阵列的性能下降甚至无法正常工作。采用有限元分析方法,对在热膨胀和薄膜应力影响下的I型和L型两种微桥的变形进行了仿真分析,揭示了热膨胀和薄膜应力分别对微桥形变的影响。
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