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采用离子交换法制备V2O5·nH2O，与Cu2O粉末通过软化学反应合成了CuV2O6。利用TG、XRD、XPS和SEM等方法对产物进行了分析，采用恒流充放实验进行了电化学性能测试。形成CuV2O6所需的焙烧温度较低，所制备的CuV2O6颗粒细小均匀，在350℃下制备的CuV2O6的首次放电比容量为355mAh／g（30mA／g）。非现场XRD和EIS谱的结果表明，单质Cu在放电过程中的析出及由此导致CuV2O6的结构不可逆性，是容量衰减的根源。