应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xjj

【摘要】

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为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系.在理论分析的基础上,以数值模拟为手段,研

【作者】

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杨荣罗晋生屠荆

【机构】

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西安交通大学微电子研究所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

：

PMOSFET 空穴局域化 Δ掺杂栅氧化层 Si帽层 SiGe层缓冲层 Si 1-x Gex PMOSFET hole confinement simu

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为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系.在理论分析的基础上,以数值模拟为手段,研究了栅氧化层厚度、Si帽层厚度、SiGe层Ge组分及厚度、缓冲层厚度及衬底掺杂浓度对阈值电压、交越电压和空穴分布的影响与作用,特别强调了δ掺杂的意义.模拟和分析表明,栅氧化层厚度、Si帽层厚度、SiGe层Ge组分、衬底掺杂浓度及δ掺杂剂量是决定空穴分布的主要因素,而SiGe层厚度、缓冲层厚度和隔离层厚度对空穴分布并不敏感

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