【摘 要】
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作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信
【机 构】
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国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0903300)~~
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作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,使得开关瞬态的驱动电压尖峰提高。相较于硅(Si)MOSFET,SiC MOSFET的栅源极承受负压的能力较低。所述方案通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作。通过仿真和实验验证,在不降低开关速度的前提下可有效消除负压尖峰。
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