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以超声喷雾热分解方法成功地制备了低成本高质量的CdS薄膜，用XRD、SEM、拉曼光谱、紫外可见吸收光谱，研究了4个不同沉积温度下制备的CdS薄膜的结构性质，并对其进行光电化学产氢性能测试。实验发现，薄膜结晶程度随着沉积温度的升高而增加，但禁带宽度保持不变。SEM测试显示薄膜均匀致密。表明此方法是一种有效的半导体薄膜电极制备方法。光电化学活性随着沉积温度的升高先增大后减小，在300℃为最佳，在187mW/cm^2的光照下此温度制备的电极的光电流密度饱和值约为4．imA／cm^2，且在电极电势为-0．13V（