PC型HgCdTe探测器的记忆效应

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通过测量PC型HgCdTe探测器的动态响应,发现在工作温度(77K)下,激光辐照后,探测器的电导率产生改变(记忆),电阻变化率提高,这种现象在工作温度下能长期保持.当升温(至室温)后,记忆功能消失.本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析. By measuring the dynamic response of the PC-type HgCdTe detector, it is found that the conductivity of the detector changes (memory) after laser irradiation at an operating temperature (77K) and the rate of change of resistance increases. This phenomenon can be long-term at operating temperature maintain. When warming (to room temperature), the memory function disappears. This article has carried on many kinds of experimental research and the mechanism analysis to this kind of phenomenon.
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