【摘 要】
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研究了气孔率为11.5%的自结合碳化硅材料在1 300 ℃空气中的高温氧化行为.研究结果表明:氧化初期形成的非晶态SiO2对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用,造成材料室温强度随氧化
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研究了气孔率为11.5%的自结合碳化硅材料在1 300 ℃空气中的高温氧化行为.研究结果表明:氧化初期形成的非晶态SiO2对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用,造成材料室温强度随氧化时间的增加而增加.当氧化22.5 h时,材料强度最高,达293 MPa;随着氧化时间的增加,非晶态SiO2晶化形成方石英,以及冷却过程中引发的表面裂纹,造成材料室温强度的降低.表面裂纹的出现,使得自结合碳化硅的氧化增重动力学曲线符合对数规律.
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