【摘 要】
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介绍了一种采用0.6 μm CMOS工艺实现的256单元光电管阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成
【机 构】
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浙江大学信息科学与工程学院、信息与电子工程学系
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介绍了一种采用0.6 μm CMOS工艺实现的256单元光电管阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成.每个有源光电管单元的尺寸为60 μm×60 μm,其感光面积百分比为64.5%,制造工艺与CMOS工艺兼容,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片化集成.通过变频二次采样的工作方式,该传感器的感光动态范围可扩大到84 dB.
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