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介绍了一种新型SiGe HBT,对其实验数据分析解释了发射极沟槽型对器件特性的影响.引入新结构后,高频特性优良.新结构降低发射极电阻、同时不增大结电容,改善器件的频率特性.新结构的fT和fmax得到显着改善.沟槽发射极结构不影响器件的高电流增益,结电容也没有明显增加.平衡了结电容和频率特性之间的矛盾.优化沟槽型的发射极,改变发射极侧墙的高度和宽度.侧墙高度变化不影响沟槽型Re;侧墙的宽度增加,频率特性降低.