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薄膜晶体管(Thin Film Transistor 英文缩写TFT)是有源矩阵液晶显示器的开关元件.在TFT的制作中,静电击穿严重影响TFT的制作成品率.本文重点研究O2灰化设备辉光放电过程中产生的静电击穿.这种静电击穿破坏TFT产品的短路环,引起栅极与源漏电极短路.本文通过实验与分析,找到了O2灰化设备产生静电击穿的原因,并提出解决对策,在吉林彩晶(JCT工厂)的TFT制作中广泛应用.