【摘 要】
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采用射频（RF）磁控溅射的方法，通过改变工艺参数在n型Si（100）片上制备六方氮化硼（h—BN）薄膜。通过傅立叶红外（FTIR）光谱仪，x射线衍射（xRD）仪进行结构表征，原子力显微镜（AFM）进行表面形貌和压
【机 构】
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天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室
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采用射频（RF）磁控溅射的方法，通过改变工艺参数在n型Si（100）片上制备六方氮化硼（h—BN）薄膜。通过傅立叶红外（FTIR）光谱仪，x射线衍射（xRD）仪进行结构表征，原子力显微镜（AFM）进行表面形貌和压电性能表征。测试结果表明，在射频功率为300W、衬底温度为500℃、工作压强在0．8Pa、N2与Ar流量比为4：20和衬底偏压在-200V时制备的六方BN薄膜具有高纯度、高c-轴择优取向，颗粒均匀致密，粗糙度为2．26nm，具有压电性并且压电响应均匀，符合高频声表面波器件基片高声速、优压电性要求。
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