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基于SOI（siliconon insulator）材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点。评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求，分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性，讨论了达到高速电光调制的方式。
亚微米尺度高速电光调制器的研究进展
【摘 要】
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基于SOI（siliconon insulator）材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点。评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求，分析
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2009年3期
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