GaAs衬底上立方GaN的低温生长

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研究了以(001)GaAs为衬底的用ECRPAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质,阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中,衬底温度约为600℃,反应器内压力约04Pa。
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