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采用简单的阴极电沉积-浸渍法，在空气中经450℃热处理3h后，制备得到Zn（Ⅱ）修饰三氧化钨（WO。）薄膜光电极．根据x-射线粉末衍射（XRD）、拉曼（Raman）光谱、场发射扫描电镜（FE—SEM）、紫外-可见（Uv—Vis）吸收光谱和荧光发射光谱（PL）等表征技术，分析了Zn（Ⅱ）的含量对WO3薄膜光电极的结构、形貌和光学性能的影响．通过在0．2M的Na2SO3溶液、外加电压为0．8V条件下的光电流测试表明，当Zn（Ⅱ）的相对原子比为9．99％时其光电性能最好，光电流值是纯WO3电极的3．5倍；外加电