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本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法－熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法。５～６Ｎ高纯Ａｇ、Ｇａ、Ｓｅ单质按ＡｇＧａＳｅ２化学配比富０．５％Ｓｅ配料，１１００℃下合成并在熔点附近进行温度振荡，获得了高纯单相致密的ＡｇＧａＳｅ２多晶材料。用合成的多晶为原料，采用坩埚旋转下降法生长出φ２２×８０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶锭。晶体外观完整，在１０．６μｍ附近红外透过率达６２．４％，吸收系数低于０．０