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ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体，室温下禁带宽度为3．37eV。激子束缚能为60meV，对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力．纳米ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质，是目前纳米材料的研究热点之一．本文介绍了ZnO和纳米ZnO的一些基本性质．综述了近年来纳米ZnO的合成以及应用等方面研究的一些进展．