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利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.
磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质
【摘 要】
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利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年z1期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036505)和国家自然科学基金(批准号:60206007)资助项目
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