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本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。
S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器
【摘 要】
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本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件
【机 构】
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浙江大学,沈阳仪器仪表工艺研究所
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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1996年2期
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