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受能量7MeV电子束辐照的N型单晶硅在表面层可形成硅氧化物,用X射线光电子谱仪(XPS)对其作了分析测量,测量数据用一种简易的计算机程序进行了谱线拟合处理。结果表明,和单晶硅的热氧化相似,在SiO_2/单体硅界面处,有Si_2O_3、SiO、SiO_2等数种硅的氧化物生成。
高能电子束辐照的硅表面的XPS分析
【摘 要】
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受能量7MeV电子束辐照的N型单晶硅在表面层可形成硅氧化物,用X射线光电子谱仪(XPS)对其作了分析测量,测量数据用一种简易的计算机程序进行了谱线拟合处理。结果表明,和单晶硅
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1990年6期
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