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本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参数。
对高介电常数栅介质Nd2O3薄膜生长速率影响的分析
【摘 要】
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本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参数。
【机 构】
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西安卫光科技有限公司
【出 处】
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黑龙江科技信息
【发表日期】
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2016年10期
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