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通过测定专门设计的寄生样电流增益，用注入电流法测定CMOS器件的产锁阈值及用JT－1图示仪扫描测定闭锁曲线，有力地证实了体硅CMOS器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力均有明显提高，激光脉冲器的瞬时辐照结果亦证实了这点。
用中子辐照提高体硅CMOS器件的抗瞬时辐照能力
【摘 要】
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通过测定专门设计的寄生样电流增益，用注入电流法测定CMOS器件的产锁阈值及用JT－1图示仪扫描测定闭锁曲线，有力地证实了体硅CMOS器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力
【机 构】
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骊山微电子学研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1990年1期
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