【摘 要】
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在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿<110>方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分过冷时的胞状生长有关,而且是连续固溶体系统(如In_xGa_(1-x)As)所特有的.
A localized rich In dislocation-intensive region along the <110> direction was found in LEC doped In-GaAs single crystals. The microstructures were characterized by SEM, CL, EPMA, CTEM and HREM combined with X-ray X-ray diffraction (XRT) studies the crystallographic and chemical properties of this defect, and provides a preliminary explanation of its origin: the formation of this defect is related to the cell-like growth when the component is undercooling and is a continuous solid solution System (such as In_xGa_ (1-x) As).
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