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本文对结构相同的覆四种不同金属层的ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境下工作的真空微电子器件的阴极材料。
阴极材料对真空微电子器件场发射性能的影响
【摘 要】
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本文对结构相同的覆四种不同金属层的ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境下工作的真空微电子器件的阴极材料。
【机 构】
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西安交能大学
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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1996年5期
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