64K动态存贮器用的基本工艺技术

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:michelle77
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
64K动态存贮器用的基本工艺技术 。 光刻技术{凳娄袭蕞剂 ;篓茬竺耋磊等倍投影曝光 腐蚀技术 {湿法腐蚀一同时采用等离子千法腐蚀 元件间隔离技术 j选择氧化法 栅氧化技术 i干氧氧化法栅电极技术扩散层形成技术层间绝缘膜形成技术金属布线材料单层多晶硅一双层多晶硅热扩散法一 64K dynamic memory with the basic process technology. Photolithography {stalk Lou attack agent; basket stubble Zhu Lei Lei times projection exposure etching technique {wet etching at the same time using a plasma method of corrosion between the components of the separation technology j selective oxidation method gate oxide technology i dry oxide oxidation gate electrode technology diffusion Layer Forming Technology Interlayer Insulating Film Forming Technology Metal Wiring Materials Monolayer Polycrystalline Si-Bilayer Polycrystalline Si Thermal Diffusion Method I
其他文献
遵照伟大领袖毛主席“把国民经济搞上去”的伟大号召,我们冲破“四人邦”的干扰破坏,从七五年起设计、制造了TJD—8 B型全晶体管通用动平衡仪。其平衡转速为500~64000转/分(
1983年际固体电路会议(以下简称ISSCC)于2月23至25日在美国纽约召开.一年一次的固体电路会议是IEEE组织内所有专业会议中规模最大的一个全球性学术会议.它是世界范围内半导体
本文通过结合某隧道工程实例,针对该煤层瓦斯含量大,瓦斯超限时有出现,具有一定煤与瓦斯突出危险性。故在整个瓦斯隧道施工过程中,以防治煤与瓦斯突出为重点,杜绝煤系地段瓦
为了准确把握我国日化行业的发展方向和趋势,前瞻性地了解我国日化行业在产业政策、科研技术、产品制造、法律法规等方面的发展方向,特别是及时了解我国日化行业相关法规、技
美国和日本的门阵列电路市场预测(单位100万奠元)美日国本了4.528.0i32.0 39.T211. 51.596.9美国和日本的门阵列电路市场预测@安德烈 US and Japan gate array circuit ma
在上海茶界,汪智利的名字与他的茶香一样蜚声业界。和很多如今在茶界已经声名在外的人一样,早先的汪智利一无学历,二无祖业,有的是一副从安徽乡下挑到上海来的木匠架子,迫于
一、农业可持续发展的涵义在人类迈向21世纪之时,全球性的人口膨胀、资源短缺、环境恶化、经济发展不平衡加剧等一系列矛盾日益突出,迫使人们重新新评传统的发展模式,认识到只有
文内载有硫属玻璃半导体层内开关效应的研究数据;叙述了可以作为开关应用的,层的极限厚度的概念、开关能在2.5到70~100伏范围内工作,开关电流从10~(-5)到8×10~(-3)安。利用
一、用途和性能本方案采用差动变压器作为变换元件,经过交直流转换器后用某些通用直流仪表进行测量记录。目前主要用于拉力试验机记录试样变形用,在各部分采取提高长时稳定
1.0前言上海氯碱化工股份有限公司糊树脂装置是1990年引进美国西方化学公司具上世纪八十年代世界先进技术水平的2万吨/年的混合法工艺,上海氯经过十多年的技术进步,在不增加