【摘 要】
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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长InGaN量子阱结构太阳能电池,并制作出了不同间距和形状的指叉形状p型电极.通过实验对比发现,随着指叉间距的减小,电极面积增加,光吸收面积减
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长InGaN量子阱结构太阳能电池,并制作出了不同间距和形状的指叉形状p型电极.通过实验对比发现,随着指叉间距的减小,电极面积增加,光吸收面积减小,从而减少了光电流的产生,使得电池效率退化.另据实验发现,由于器件MESA边缘有着更强的电场,相同指叉密度下,将电极制作在器件边缘可取得更好的电池性能.
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