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研制了一种在Al_2O_3多晶基片上制做YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导厚膜的工艺方法。将摩尔分数为20%的211相掺杂样品,在外磁场为0,温度为82K的条件下测量,其临界电流密度达4.2×10~3A/cm~2。
211相掺杂YBa2Cu3O7—δ超导厚膜的制做
【摘 要】
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研制了一种在Al_2O_3多晶基片上制做YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导厚膜的工艺方法。将摩尔分数为20%的211相掺杂样品,在外磁场为0,温度为82K的条件下测量,其临界电流密度达4.2×10
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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1999年6期
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