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采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响.但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量.通过对比不同工艺条件下背封片表面情况,分析了表面颗粒的形成机理以及影响表面颗粒产生的因素.通过调整工艺参数,基本解决了背封片表面颗粒问题,明显改善了表面质量.